長(cháng)江存儲將發(fā)布新一代Xtacking技術(shù) 實(shí)現NAND閃存超高傳輸速率

2018-07-30 

據長(cháng)江存儲官方消息，Xtacking技術(shù)將為NAND閃存帶來(lái)前所未有的超高傳輸速率電子設計模塊

國際電子商情報道，據長(cháng)江存儲官方消息，8月初，長(cháng)江存儲CEO楊士寧博士將發(fā)表《創(chuàng )新架構，釋放3D NAND閃存潛能》的主題演講。楊士寧博士將會(huì )介紹此項技術(shù)是如何將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當的水準，同時(shí)使存儲密度達到行業(yè)領(lǐng)先水平，實(shí)現閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)。

Xtacking技術(shù)將為NAND閃存帶來(lái)前所未有的超高傳輸速率，從而將NAND閃存應用產(chǎn)品，如UFS、消費級及企業(yè)級SSD的性能提升至全新的高度。在客戶(hù)、行業(yè)伙伴以及標準機構的合力幫助下，XtackingTM 將為高性能的智能手機、個(gè)人計算、數據中心和企業(yè)應用展開(kāi)新篇章。

XtackingTM技術(shù)實(shí)現了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開(kāi)發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時(shí)間，并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。

據悉，目前長(cháng)江存儲即將量產(chǎn)32層3D NAND Flash，按照規劃，明年開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND Flash。

產(chǎn)品目錄: MULTICOMP PRO; Kyet 科雅薄膜電容器; 喬光電子（FTR）; 采樣電阻; KINGSTATE（志豐電子）; 君耀電子(Brightking); RUBYCON電容原裝現貨供應商; HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品; 傳感器; 飛思卡爾開(kāi)發(fā)工具 Freescale; 嵌入式解決方案; 自動(dòng)化工業(yè)系統; 網(wǎng)絡(luò )攝像機; 行車(chē)記錄儀

地址(中國)：杭州市拱墅區莫干山路972號北部軟件園泰嘉園B座303室
QQ：1261061025
郵箱：master@wfyear.com
電話(huà)：800-886-8870

移動(dòng)設備訪(fǎng)問(wèn)

浙公網(wǎng)安備 33010502000510號

動(dòng)態(tài)信息

長(cháng)江存儲將發(fā)布新一代Xtacking技術(shù) 實(shí)現NAND閃存超高傳輸速率